5 kraftige N-kanal-MOSFET-transistorer til pålidelig kobling og styring i elektroniske kredsløb.

Fordele

• Høj belastning op til 100 V og 33 A
• Lav modstand på 44 mΩ
• Hurtige koblingstider på 35 ns
• Robust TO-220-kapsling

Effektiv ydeevne
N-kanal-MOSFET'en understøtter spændinger op til 100 V og strømme op til 33 A. Den lave modstand på 44 mΩ hjælper med at reducere ledningstab og sikrer effektiv drift.

Hurtig kobling
Med en stige- og faldtid på 35 ns er transistoren velegnet til hurtige koblingsforløb i strømforsyninger, motorstyringer og forskellige elektronikprojekter.

Robust konstruktion
TO-220-kapslingen gør montering på printkort og køleprofiler enkel. Den maksimale effektafsætning på 130 W understøtter effektiv varmehåndtering ved passende køling.

Pakken indeholder

• 5 × N-kanal-MOSFET-transistor

Specifikationer

• Type: N-kanal-MOSFET
• Drain-source-spænding: 100 V
• Drainstrøm: 33 A
• Modstand: 44 mΩ
• Gate-source-spænding: 20 V
• Stigetid: 35 ns
• Faldtid: 35 ns
• Effektafsætning: 130 W
• Kapsling: TO-220
• Driftstemperatur: −55 °C til 175 °C